innovations pour la mémoire flash

Alors que Samsung annonçait lundi une nouvelle génération de mémoires flash baptisée OneNAND, gravée en 70 nanomètres, Intel annonce quant à lui des mémoires NOR gravées en 65 nm.

Intéressons-nous dans un premier temps à la mémoire Samsung. Nous vous le disions hier, cette nouvelle mémoire devrait permettre à Samsung d'augmenter de 70 % ses rendements à la production en comparaison des puces gravées en 90 nm. Ces mémoires seront également beaucoup plus rapides que la mémoire NAND traditionnelle. Si l'on en croit le constructeur, cette mémoire offrirait la rapidité des mémoires NOR tout en offrant les capacités de stockage de la mémoire NAND. Grâce à ce process, Samsung fabrique désormais des mémoires de 1 Gbit offrant un débit élevé de 108 Mo par seconde. (voir notre actualité intitulée De la mémoire Flash NAND à 70 nm).

Du côté du géant de Santa Clara, on annonce des mémoires NOR a cellules multi-niveaux, permettant à ces puces d'atteindre là encore une capacité de 1 Gbit. La technologie utilisée est de 65 nm. Intel précise également que ces puces disposeront d'une architecture commune avec les précédentes, simplifiant ainsi aux intégrateurs la migration du 90 nm aux 65 nm. Des échantillons seront disponibles pour les consommateurs durant le deuxième trimestre.

Ces deux types de puces seront principalement utilisés dans la téléphonie mobile multimédia et permettront, par exemple, de stocker des photos de la musique et des vidéos dans les futurs téléphones mobiles. On devrait également les retrouver dans les supports de stockage amovibles tels que les clés USB de forte capacité. On le voit, la petite guerre entre les mémoires NAND et NOR n'est pas prête d'être terminée.

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